《SJ/T 11572-2016 運(yùn)輸環(huán)境下晶體硅光伏組件機(jī)械振動(dòng)測(cè)試方法》標(biāo)準(zhǔn)

SJ/T 11572-2016《運(yùn)輸環(huán)境下晶體硅光伏組件機(jī)械振動(dòng)測(cè)試方法》是一份針對(duì)晶體硅光伏組件在運(yùn)輸環(huán)境下進(jìn)行機(jī)械振動(dòng)測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)文件。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了晶體硅光伏組件在運(yùn)輸環(huán)境下進(jìn)行機(jī)械振動(dòng)測(cè)試的試驗(yàn)方法、試驗(yàn)條件、試驗(yàn)程序和試驗(yàn)結(jié)果分析等方面的要求。

一、范圍：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了運(yùn)輸環(huán)境下晶體硅光伏組件機(jī)械振動(dòng)測(cè)試方法，包括儀器設(shè)備、振動(dòng)試驗(yàn)前測(cè)試、振動(dòng)試驗(yàn)和振動(dòng)試驗(yàn)后測(cè)試的要求等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于運(yùn)輸環(huán)境下晶體硅光伏組件的機(jī)械振動(dòng)測(cè)試，以評(píng)估由運(yùn)輸和裝卸過(guò)程中產(chǎn)生的環(huán)境復(fù)合振動(dòng)導(dǎo)致的光伏組件故障。

二、試驗(yàn)項(xiàng)目：
振動(dòng)試驗(yàn)。

三、試驗(yàn)設(shè)備：
振動(dòng)臺(tái)。

四、設(shè)備廠(chǎng)商：
環(huán)儀儀器

五、試驗(yàn)程序（部分）：

1.受試組件位置是指振動(dòng)試驗(yàn)時(shí)受試組件在堆疊的組件中的位置。根據(jù)不同位置的組件對(duì)振動(dòng)響應(yīng)的分布，確定在運(yùn)輸包裝單元中特定位置的組件需進(jìn)行6.2規(guī)定的振動(dòng)試驗(yàn)前測(cè)試和6.4中規(guī)定的振動(dòng)試驗(yàn)后測(cè)試。本測(cè)試可使用組件模型。如果振動(dòng)測(cè)試參數(shù)發(fā)生改變，6.1中規(guī)定的測(cè)試需要重新進(jìn)行。測(cè)試步驟如圖1所示。

2.將測(cè)試樣品放置在振動(dòng)臺(tái)上。如果振動(dòng)臺(tái)面積不夠大，不能承載整個(gè)包裝的底部，可對(duì)振動(dòng)臺(tái)進(jìn)行擴(kuò)展，擴(kuò)展后的振動(dòng)臺(tái)應(yīng)滿(mǎn)足3.1的規(guī)定。

3.從運(yùn)輸包裝單元中均勻選取一系列組件進(jìn)行振動(dòng)響應(yīng)分布測(cè)量，加速度傳感器應(yīng)放置在組件正面或背面的中心。

4.在安裝加速度傳感器時(shí)通常需要對(duì)組件框架和包裝進(jìn)行改動(dòng)（如鉆孔)，改動(dòng)應(yīng)盡可能的少，以確保不顯著改變振動(dòng)測(cè)試組件的機(jī)械性能。例如，一個(gè)組件框架深30 mm(不包含支撐玻璃面板的部分)，可打一個(gè)直徑10 mm的圓孔，該孔應(yīng)至少距離框架的角20 cm，以便導(dǎo)線(xiàn)進(jìn)入測(cè)量點(diǎn)（如圖2所示)。導(dǎo)線(xiàn)應(yīng)固定，以避免其在振動(dòng)測(cè)試期間的移動(dòng)影響測(cè)量?？稍诎b箱上開(kāi)口以使導(dǎo)線(xiàn)連接到內(nèi)部堆疊的組件上。

5.在電子控制系統(tǒng)中輸入振動(dòng)測(cè)試參數(shù)，啟動(dòng)振動(dòng)臺(tái)最少 3 min。記錄組件中心的振動(dòng)響應(yīng)，確定組件中心的加速度均方根值grms。

6.比較各測(cè)試位置的grms值，按照以下標(biāo)準(zhǔn)選擇受試組件的位置。

方法A:如果grms值都在grms平均值的±50%以?xún)?nèi)，選擇任意三個(gè)最方便操作的位置進(jìn)行測(cè)試。
方法B:如果一個(gè)或者多個(gè)組件位置的grms值超過(guò)grms平均值的±50%，選擇三個(gè)grms值最大的位置。