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《GB/T 36357-2018 中功率半導體發(fā)光二極管芯片技術規(guī)范》標準

時間:2023-06-30 09:00:12 作者:環(huán)儀小編 點擊:

GB/T 36357-2018是中國國家標準中功率半導體發(fā)光二極管(LED)芯片技術規(guī)范的代號。該標準是由中國國家標準化管理委員會(SAC)發(fā)布的,它規(guī)定了中功率半導體發(fā)光二極管芯片的設計、制造和測試要求,旨在確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能符合相關技術要求。


一、范圍:
本標準規(guī)定了中功率半導體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品(以下簡稱芯片)的技術要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、運輸和儲存等。
本標準適用于中功率半導體發(fā)光二極管芯片。


二、試驗項目:
溫度循環(huán)試驗、循環(huán)濕熱試驗,恒加速度試驗等。


三、試驗設備:
恒溫恒濕試驗箱、離心機等。

《GB/T 36357-2018 中功率半導體發(fā)光二極管芯片技術規(guī)范》標準(圖1)


四、設備廠商:
環(huán)儀儀器


五、試驗程序(部分):

1. 溫度循環(huán)
溫度循環(huán)試驗按GB/T 2423.22-2012的規(guī)定進行,試驗后符合3.5.3的規(guī)定。

2. 循環(huán)濕熱
循環(huán)濕熱試驗按GB/T 2423.4-2008的規(guī)定進行,試驗后符合3.5.4的規(guī)定。

3. 恒定加速度(適用于空腔封裝器件)
恒定加速度試驗按GB/T 2423.15-2008的規(guī)定進行,試驗后符合3.5.5的規(guī)定。


該標準主要涵蓋了中功率LED芯片的分類和命名、技術要求、試驗方法、標志、包裝、運輸和貯存、檢驗規(guī)則、標記和使用說明等方面的內(nèi)容。它包括了對中功率LED芯片尺寸、外觀、電性能、光學性能、熱性能和可靠性等方面的要求,以及對其進行試驗、檢驗和標志的具體規(guī)定。

通過遵循GB/T 36357-2018中的規(guī)范要求,制造商和使用者可以更好地控制和評估中功率LED芯片的質(zhì)量和性能,從而提高產(chǎn)品的可靠性和應用效果。


標簽: 試驗標準

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