《GB/T 35086-2018 MEMS電場(chǎng)傳感器通用技術(shù)條件》標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 35086-2018 是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)題為《MEMS電場(chǎng)傳感器通用技術(shù)條件》（Micro-electromechanical systems (MEMS) - General technical specifications for MEMS electric field sensors）。

該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MEMS電場(chǎng)傳感器的通用技術(shù)要求，旨在指導(dǎo)和規(guī)范這類傳感器的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和使用，以確保其性能、可靠性和適用性。

一、范圍：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MEMS電場(chǎng)傳感器(以下簡(jiǎn)稱“傳感器”)的原材料、結(jié)構(gòu)組成、技術(shù)要求、試驗(yàn)項(xiàng)目和方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、存儲(chǔ)和運(yùn)輸。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于MEMS電場(chǎng)傳感器的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。其他類型的電場(chǎng)傳感器可參照使用。

二、試驗(yàn)項(xiàng)目：
高低溫試驗(yàn)、溫度沖擊試驗(yàn)、濕熱試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、振動(dòng)試驗(yàn)等。

三、試驗(yàn)設(shè)備：
恒溫恒濕試驗(yàn)箱、溫度沖擊試驗(yàn)箱、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)等。

四、設(shè)備廠商：
環(huán)儀儀器

五、試驗(yàn)程序（部分）：

1.高溫貯存
試驗(yàn)
按GB/T 2423.2-2008中 5.2規(guī)定的試驗(yàn)方法和如下規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn):
a）溫度:貯存溫度的上限溫度±2℃;

b)保溫時(shí)間:48 h。
試驗(yàn)后，在試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下恢復(fù)2 h，然后檢查傳感器外觀，檢測(cè)零點(diǎn)輸出。

2.低溫貯存
試驗(yàn)
按GB/T 2423.1-2008中 5.2規(guī)定的試驗(yàn)方法和如下規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn):
a)溫度:貯存溫度的下限溫度±2℃;

b)保溫時(shí)間:24 h。
試驗(yàn)后，在試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下恢復(fù)2 h，然后檢查傳感器外觀，檢測(cè)零點(diǎn)輸出。

3.溫度沖擊
試驗(yàn)
按GB/T 2423.22-2012規(guī)定的試驗(yàn)方法和如下規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn):
a)試驗(yàn)程序:按照GB/T 2423.22-012的第7章;

b)溫度:高溫為貯存溫度的上限溫度±2℃，低溫為貯存溫度的下限溫度±2℃;

c)保溫時(shí)間:應(yīng)確保傳感器達(dá)到溫度穩(wěn)定(保溫時(shí)間通?？蓞⒖紓鞲衅鞯臒崛萘坑捎脩艉凸?yīng)商
協(xié)商確定);

d)轉(zhuǎn)換時(shí)間:不大于3 min;
e)沖擊次數(shù):3次。

試驗(yàn)后﹐在試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下恢復(fù)2 h，然后檢查傳感器外觀，檢測(cè)零點(diǎn)輸出。

通過遵循 GB/T 35086-2018 標(biāo)準(zhǔn)，MEMS電場(chǎng)傳感器的制造商和用戶可以更好地了解和應(yīng)用這類傳感器，從而確保其在電場(chǎng)測(cè)量等應(yīng)用中的性能和可靠性得到保障。