為了研究FLASH芯片的壞區(qū)增長與擦寫次數(shù)為怎樣的關(guān)系，目前尚未有實(shí)際實(shí)物參照數(shù)據(jù)。下面使用Flash器件高低溫擦寫性能試驗(yàn)箱，通過FLASH芯片壽命試驗(yàn)，在地面模擬FLASH芯片在空間連續(xù)加電并多次擦除、寫和讀操作，設(shè)計(jì)了以下試驗(yàn)方法。
Flash芯片高低溫壽命試驗(yàn)設(shè)計(jì)：
試驗(yàn)設(shè)備：環(huán)儀儀器 Flash器件高低溫擦寫性能試驗(yàn)箱
配套工具：試驗(yàn)板1套，可承受工作環(huán)境溫度為-10℃～+70℃、穩(wěn)壓電源1套、測(cè)試計(jì)算機(jī)1臺(tái)、測(cè)試電纜一套
試驗(yàn)過程：
串口1實(shí)時(shí)顯示操作次數(shù)，每次操作時(shí)的壞區(qū)總數(shù)，串口2實(shí)時(shí)顯示擦除和編程超時(shí)或反饋出錯(cuò)的區(qū)塊號(hào)，串口3用于下傳所有的壞區(qū)表、接收指令恢復(fù)某一壞區(qū)等需要交互的操作。壽命試驗(yàn)過程中每隔一定的動(dòng)作次數(shù)后，需進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試，通過串口遙測(cè)記錄芯片在不同操作模式下的工作電流、壞區(qū)表、擦除反饋錯(cuò)誤、擦除超時(shí)壞區(qū)、編程反饋錯(cuò)誤、編程超時(shí)壞區(qū)以及誤碼率，并進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，最后繪成曲線。測(cè)試臺(tái)需斷電保持芯片擦寫的次數(shù)，并在串口遙測(cè)中顯示。
試驗(yàn)過程必須包含F(xiàn)LASH芯片的擦除和寫操作，考核芯片長時(shí)間的加電工作后性能是否下降（監(jiān)視不同模式下的電流是否增加、擦除時(shí)間是否會(huì)超時(shí)和編程時(shí)間是否延長），壞區(qū)是否增加。
試驗(yàn)結(jié)果：
FLASH芯片壽命試驗(yàn)總擦除次數(shù)為100000次，試驗(yàn)開展共409天，試驗(yàn)結(jié)束后總壞塊數(shù)為36個(gè)，并未增加。根據(jù)資料，10萬次擦除壽命末期單片的某一層壞區(qū)累計(jì)不到容量的2%，試驗(yàn)采用的芯片總共4096塊，36個(gè)壞塊的比率為0.88%，不超過廠家指標(biāo)值。
以上就是Flash器件高低溫擦寫性能試驗(yàn)箱相關(guān)測(cè)試過程，如有試驗(yàn)疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
