在存儲芯片的生產制造過程中，需要進行各種可靠性試驗，其中高低溫沖擊試驗就是一項重要的測試項目，下面，我們結合實際測試要求，來看看存儲芯片的高低溫熱沖擊試驗是怎么做的。
存儲芯片高低溫熱沖擊試驗流程：
試驗設備：環(huán)儀儀器 存儲芯片高低溫熱沖擊試驗箱
試驗條件：
高溫80℃：30min
低溫-40℃：30min
轉換時間：高溫和低溫變化在5min內完成
試驗評價方法：
1.在(新 MODEL)新產品開發(fā)階段(DVT)，實施 100CYCLE 試驗之后，決定下期階段進行可能與否。
2.(量產 MODEL)市場及工程發(fā)生品質問題時，生產技術科內部選定另外 MODEL實施，試驗 CYCLE 基準在1次100CYCLE 試驗實施之后，確認無異常時，進行2 次 100 CYCLE 延長試驗
3.在試驗之前，檢查樣品的表面狀態(tài)。
設備參數：
以上就是存儲芯片的高低溫熱沖擊試驗要求，如有試驗疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關技術人員。
