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固態(tài)硬盤的讀寫掉電測(cè)試一般都是在同一溫度（低溫或者高溫）下進(jìn)行的，主要檢測(cè)產(chǎn)品貯存和使用的適用性。NVMe固態(tài)硬盤內(nèi)部擔(dān)任儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的重要組件是NAND閃存，影響
為了測(cè)試SSD固態(tài)硬盤的“軟件讀寫性能測(cè)試”，在測(cè)試過(guò)程中，需要使用高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱和常溫存放H2test校驗(yàn)測(cè)試，為了讓大家了解固態(tài)硬盤的高低溫讀寫性能，接下
SSD高低溫測(cè)試箱是一款針對(duì)SSD成品測(cè)試的高集成度測(cè)試平臺(tái)，可以在不同溫度環(huán)境下，直接測(cè)試SSD的壽命和其他多項(xiàng)性能參數(shù)，為NVMe固態(tài)硬盤的可靠性，數(shù)據(jù)安全
為了研究FLASH芯片的壞區(qū)增長(zhǎng)與擦寫次數(shù)為怎樣的關(guān)系，目前尚未有實(shí)際實(shí)物參照數(shù)據(jù)。下面使用Flash器件高低溫擦寫性能試驗(yàn)箱，通過(guò)FLASH芯片壽命試驗(yàn)，在地
為了研究Flash存儲(chǔ)器在不同溫度下的性能變化的機(jī)理和溫變規(guī)律，評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性，為Flash器件在空間型號(hào)任務(wù)的應(yīng)用提供試驗(yàn)依據(jù)和改進(jìn)建議。在溫變規(guī)律研
Flash高低溫試驗(yàn)箱可用于研究Flash存儲(chǔ)器在不同溫度下的性能變化的機(jī)理和溫變規(guī)律，評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性，為Flash器件在空間型號(hào)任務(wù)的應(yīng)用提供試驗(yàn)依據(jù)
EMMC高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱可針對(duì)NAND Flash、UFS芯片進(jìn)行高速、高低溫度范圍的全功能動(dòng)態(tài)老化測(cè)試。針對(duì)集成NAND和Controller的模組芯片（例如
eMMC存儲(chǔ)芯片高低溫老化箱可對(duì)eMMC（EmbeddedMulti Media Card，嵌入式多媒體卡）、SSD（Solid State Disk，固態(tài)硬盤
